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三星發布業界首款12層HBM3E內存 擬下半年投入量產

三星宣布,成功研發出利用矽通孔技術(TSV)的業界首款12層堆疊第五代高頻寬記憶體(HBM3E)「HBM3E 12H DRAM」,容量達到業界最大的36GB。據悉,公司已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品,並計劃從今年下半年投入量產。 此外,三星正在積極研發第六代高效能高頻寬記憶體(HBM4)產品,目標是明年推出樣品,並從2026年起量產。(sl/cy)~ 阿思達克財經新聞 網址: www.aastocks.com