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〈旺宏法說〉3D NAND研發告捷 將斥415億元擴廠、2023年量產

鉅亨網記者林薏茹 台北
·2 分鐘文章

記憶體廠旺宏 (2337-TW) 今 (27) 日召開法說會，總經理盧志遠表示，3D NAND 研發有不錯的成果，48 層第四季將開出月產能約 5000 片，出貨給策略性客戶，也因研發進度佳，將啟動擴產計畫，預計投入 415 億元擴產 Fab 5B，生產 3D NAND 產品，新產能預計 2023 年貢獻營收。

旺宏 3D NAND Flash 研發進度符合預期， 4 月已將 48 層 3D NAND 送交客戶端認證。盧志遠表示，48 層初期將出貨給策略合作客戶，第四季將開出月產能約 5000 片，96 層 3D NAND 明年有機會量產，192 層預計最快 2023 年。

盧志遠表示，由於 3D NAND 研發有不錯的成果，董事會今日通過將進行擴產計畫，目前 Fab 5A 還有一倍的面積，將擴充為 Fab 5B，屆時五廠空間將填滿，資本支出預計投入 415 億元，快則 2 至 3 年完成支出，就層數來看，產能可較 5A 擴增一倍，但技術跳了兩個世代。

盧志遠指出，Fab 5B 預計明年第一季完成無塵室設施、開始裝機，但現在機器交期長，將與供應商討論交機時程，擴建計畫也會導入自動傳輸天車系統等；新產能預計 2022 年下半年開始投片，2023 年量產、貢獻營收。

盧志遠並說，後續可望將 48 層產能轉換為 96 層，但到了 192 層，投入的資本支出金額至少要上千億元。

被問及啟動擴廠計劃前，是否與客戶達成協議，盧志遠則說，策略性客戶是多年夥伴，客戶喜歡旺宏的產品，因此會朝這個方向努力，一切盡在不言中。