SEMI：2025年12吋晶圓廠設備支出首度突破1000億美元 中國居首位

SEMI 國際半導體產業協會今 (22) 日發布最新報告，內容指出，由於記憶體市場復甦以及對 HPC 與汽車應用的強勁需求，全球 12 吋 (300mm) 晶圓廠前段設備支出預估在 2025 年首次突破 1,000 億美元，到 2027 年將達到 1,370 億美元的歷史新高，以地區別來看，中國投資金額為全球第一。

SEMI 此次首度發布 2027 年預估，指出全球 12 吋晶圓廠設備投資預計將在 2025 年成長 20% 至 1,165 億美元，2026 年再成長 12% 至 1,305 億美元，還將在 2027 年小增 5%、創下歷史新高。

SEMI 全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，未來幾年內 12 吋晶圓廠設備支出預估將呈現大幅成長，反映出市場需要這樣的生產能力，以滿足不同市場對電子產品的成長需求，以及 AI 創新帶來的新一波應用浪潮。

最新的 SEMI 報告也特別點出，政府增加半導體製造投資，對於促進全球經濟和安全的關鍵重要性。這股趨勢預計將有助於縮小重新崛起與新興地區，以及亞洲歷史上支出最高地區之間的設備支出差距。

從區域別來看，中國在政府激勵措施和晶片國產化政策的推動下，未來四年將保持每年 300 億美元以上的投資規模，繼續引領全球晶圓廠設備支出。

台灣與韓國則分別受惠於高效能運算 (HPC) 應用帶動先進製程節點推進擴張和記憶體市場復甦，晶片供應商也提高相應的設備投資，其中，台灣的設備支出預計將從 2024 年的 203 億美元增加到 2027 年的 280 億美元，排名第二；而韓國則將從今年的 195 億美元增加到 2027 年的 263 億美元，排名第三。

美洲地區的 12 吋晶圓廠設備投資預計將成長一倍，從 2024 年的 120 億美元提高到 2027 年的 247 億美元；而日本、歐洲和中東以及東南亞的支出預計將在 2027 年分別達到 114 億美元、112 億美元和 53 億美元。

細分各領域，SEMI 補充，晶圓代工領域支出預計今年將下降 4% 至 566 億美元，部分原因是成熟節點 (>10 奈米) 投資放緩，但為滿足市場對生成式 AI、汽車和智慧邊緣裝置的需求，此領域在所有領域中仍保持最高的成長率，設備支出從 2023 年到 2027 年預計將帶來 7.6% 年複合成長率 (CAGR) 達到 791 億美元。

另外，由於資料傳輸頻寬對於 AI 伺服器的運算效能至關重要，帶動高頻寬記憶體 (HBM) 強勁需求，導致記憶體技術的投資增加。記憶體在所有領域中排名第二，2023 年到 2027 年的年複合成長率將達到 20%。DRAM 設備支出預計將在 2027 年提高到 252 億美元，年複合成長率為 17.4%；而 3D NAND 的投資預計將在 2027 年達到 168 億美元，年複合成長率為 29%。

至於類比 (Analog)、微型 (Micro)、光電 (Opto) 和分離 (Discrete) 元件領域，預計到 2027 年，12 吋晶圓廠設備投資將分別增加至 55 億美元、43 億美元、23 億美元和 16 億美元。

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