鞏固台灣先進製程！台版晶片法草案拍板 企業明年報稅即可申請適用

經濟部今 (1) 日預告產創條例第 10 條之 2(俗稱台版晶片法) 修正草案，拍板申請門檻為：研發費用達 60 億元、研發密度達 6%、購置用於先進製程的設備支出達 100 億元，法規將自今天起預告 30 日，明年報稅即可申請適用。

經濟部今天公告修正草案內容，明定支出適用範圍、申請程序與期限、審查機制及相關事項，其中適用條件部分，考量公司為持續保有在全球產業鏈中的關鍵地位，保持台灣重要產業的競爭優勢，鼓勵產業加大力道投入較同業更高額設備以及研發支出。

據了解，產創條例修正草案適用產業包括半導體、光學及儲能電力等產業，至於產業是否符合全球關鍵地位，以及先進設備如何定義，這部分將由工業局邀集學者、政府等專家組成審議會進行審議。

經濟部表示，相關門檻的訂定，主要是考慮業界實況，希望促使接近適用門檻的業者進一步擴大研發投資，適用租稅優惠，並兼顧國內產業發展現況與特性，經參考上市櫃公司研發投入及設備投資情形，因此與財政部規劃研發費用達 60 億元、研發密度達 6%、購置用於先進製程之設備支出達 100 億元為申請門檻，鼓勵公司深耕並加碼投資台灣。

經濟部表示，由於母法中已訂定有效稅率 12%，以及未來 15% 的基礎，因此也可促使未達到此稅率基礎的業者努力達成，穩定國家稅收。此外，如未符合前述適用條件的公司，也能申請產創條例第 10 條研發投資抵減及第 10 條之 1 智慧機械投資抵減。

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