三星聯手美企 拚3奈米良率超車台積電

韓媒《Naver》週五 (18 日) 報導，三星電子已與美國公司 Silicon Frontline Technology 擴大合作，提高半導體晶片在生產過程中的良率，希望超車勁敵台積電。

該報導指出，三星電子先進製程良率低迷，自 5 奈米製程一直存在良率問題，隨著 4 奈米和 3 奈米，情況變得更糟，據傳三星 3 奈米解決方案製程自量產以來，良率不超過 20%，量產進度陷入瓶頸。

由於三星代工晶片良率差，過熱問題頻傳，高通旗艦晶片「Snapdragon 8 Gen 1」和「Snapdragon 888」表現受到影響，高通新款 Snapdragon 8 Gen 2 已改由台積電獨家代工，輝達 RTX 4000 系列 GPU 也採用台積電 5 奈米製程量產。

儘管如此，三星仍搶先台積電開始生產 3 奈米製程晶片，希望藉由 3 奈米製程技術搶先爭取更多代工需求客戶。

由於改善良率至關重要，三星正擴大與美企 Silicon Frontline Technology 合作關係，改進三星先進晶片製程的性能和良率。

Silicon Frontline Technology  在半導體設計和驗證解決方案方面擁有專業知識，提供晶片資格評估和靜電放電 (ESD) 預防技術。ESD 是導致半導體晶片缺陷主因之一，製造過程中設備與金屬之間的摩擦引起，而防止或減少 ESD 有助於提高良率。

據悉，三星將 Silicon Frontline Technology 技術應用於晶片設計和生產過程中已取得滿意的結果，目前三星正在擴大與 Silicon Frontline Technology 的合作夥伴關係，以改進先進製程的良率，奪回大客戶訂單，並與台積電一較高低。

台積電 ADR (TSM-US) 週五收紅 0.97% 至每股 82.27 美元，換算價為 512.54 元，折溢價率為 5.24%。

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